2N2222ACSM4 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N2222ACSM4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: LCC3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2222ACSM4

2N2222ACSM4 Datasheet (PDF)

6.1. Size:563K semelab
2n2222ac1a.pdf

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 75V VCEO Collector Emitter Voltage 50V VE

6.2. Size:86K semelab
2n2222ac3a 2n2222ac3b 2n2222ac3c.pdf

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C High Speed Saturated Switching Hermetic LCC3 Ceramic package. Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 75V VCEO Collector Emitter Voltage 50V VEBO Emitter Bas

6.3. Size:563K semelab
2n2222ac1b.pdf