2SD1407G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1407G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 12 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO220F
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2SD1407G datasheet
2sd1407a.pdf
2SD1407A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD1407A Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm High breakdown voltage VCEO = 100 V Low collector saturation voltage VCE (sat) = 2.0 V (max) Complementary to 2SB1016A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 100 V Col
2sd1407.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1407 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1016 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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History: BDX88 | BDY39 | BEL940
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