2SD1407R Todos los transistores

 

2SD1407R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1407R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SD1407R datasheet

 7.1. Size:131K  toshiba
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2SD1407R

2SD1407A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD1407A Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm High breakdown voltage VCEO = 100 V Low collector saturation voltage VCE (sat) = 2.0 V (max) Complementary to 2SB1016A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 100 V Col

 7.2. Size:69K  wingshing
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2SD1407R

 7.3. Size:210K  inchange semiconductor
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2SD1407R

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1407 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1016 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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