2SD1407R - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SD1407R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SD1407R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1407R

 

2SD1407R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:131K  toshiba
 2sd1407a.pdf pdf_icon

2SD1407R

2SD1407A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD1407A Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit mm High breakdown voltage VCEO = 100 V Low collector saturation voltage VCE (sat) = 2.0 V (max) Complementary to 2SB1016A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 100 V Col

 7.2. Size:69K  wingshing
 2sd1407.pdf pdf_icon

2SD1407R

 7.3. Size:210K  inchange semiconductor
 2sd1407.pdf pdf_icon

2SD1407R

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1407 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1016 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1406 , 2SD1406G , 2SD1406GR , 2SD1406O , 2SD1406Y , 2SD1407 , 2SD1407G , 2SD1407O , 2SC828 , 2SD1407Y , 2SD1408 , 2SD1408O , 2SD1408R , 2SD1408Y , 2SD1409 , 2SD1409O , 2SD1409R .

History: BDX40-4 | U2T105 | 2SD385 | 2SD1783 | JF494 | KD2955 | ASY68

 

 
Back to Top

 


 
.