2SD1412O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1412O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de 2SD1412O
2SD1412O Datasheet (PDF)
2sd1412.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1412DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.4V(Max)@ I = 4ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1019Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.
Otros transistores... 2SD1409R , 2SD1409Y , 2SD141 , 2SD1410 , 2SD1411 , 2SD1411O , 2SD1411Y , 2SD1412 , C945 , 2SD1412Y , 2SD1413 , 2SD1414 , 2SD1415 , 2SD1416 , 2SD1417 , 2SD1418 , 2SD1419 .
History: 2N611 | 2SA986A | 2SA498 | 2N4919
History: 2N611 | 2SA986A | 2SA498 | 2N4919



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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