2SD1412O Todos los transistores

 

2SD1412O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1412O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 250 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 70

Empaquetado / Estuche: ISO220

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD1412O

 

2SD1412O Datasheet (PDF)

3.1. 2sd1412.pdf Size:184K _toshiba

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3.2. 2sd1412a.pdf Size:216K _toshiba

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 3.3. 2sd1412.pdf Size:272K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1412 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 4A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V (Min) ·Complement to Type 2SB1019 APPLICATIONS ·High current switching applications. ·Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) S

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