2SD1412O Todos los transistores

 

2SD1412O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1412O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 250 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO220F

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2SD1412O datasheet

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2SD1412O

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2SD1412O

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2SD1412O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1412 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 0.4V(Max)@ I = 4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SB1019 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applications.

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