2SD1412O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1412O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Empaquetado / Estuche: ISO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD1412O
2SD1412O Datasheet (PDF)
3.1. 2sd1412a.pdf 
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3.2. 2sd1412.pdf Size:184K _toshiba
3.3. 2sd1412.pdf Size:272K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1412 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 4A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V (Min) ·Complement to Type 2SB1019 APPLICATIONS ·High current switching applications. ·Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) S
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