2SD1412O Todos los transistores

 

2SD1412O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1412O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SD1412O Datasheet (PDF)

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2SD1412O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1412DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.4V(Max)@ I = 4ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1019Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applications.Power amplifier applications.

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History: SPT5006M | TTC011B

 

 
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