2SD157 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD157  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO66

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2SD157 datasheet

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2SD157

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD157 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 50mA CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated co

 0.1. Size:124K  nec
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2SD157

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