2SD157 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD157 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD157 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD157

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD157 даташит

..1. Size:180K inchange semiconductor
2sd157.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD157 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 50mA CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated co

0.1. Size:124K nec
2sd1579.pdf pdf_icon