2SD1589O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1589O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000
Encapsulados: TO220
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2SD1589O datasheet
2sd1589.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors 2SD1589 DESCRIPTION With TO-220Fa package DARLINGTON Complement to type 2SB1098 Low speed switching APPLICATIONS Low frequency power amplifier Low speed switching industrial use PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol ABSOLUTE MAXIM
2sd1589.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1589 DESCRIPTION Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 2A CE(sat) C High DC Current Gain h = 2000(Min) @ I = 2A FE C Complement to Type 2SB1098 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier and low speed switc
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History: BT2944T
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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