2SD1921 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1921

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: FTL

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2SD1921 datasheet

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2SD1921

2SD1922 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier Outline TO-92MOD 2 3 ID 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SD1922 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 25 V Collector to emitter voltage VCEO 25 V Emitter to base voltage VEBO 6V Collector current IC 0.8 A Collector peak current ic (peak)

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