2SD1923 Todos los transistores

 

2SD1923 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1923
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD1923 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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2SD1923

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1923DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 3ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 2A, V = 3VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATION

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History: 3DA87B | ASY80 | KT817G | 2N1175B | 2SD1885 | 2SB764 | BC337M

 

 
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