2SD1923 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1923 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1923 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO126

Аналоги (замена) для 2SD1923

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1923 даташит

..1. Size:202K inchange semiconductor
2sd1923.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1923 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 3A CE(sat) C High DC Current Gain h = 2000(Min) @ I = 2A, V = 3V FE C CE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION

8.1. Size:44K 1
2sd189x 2sd190x 2sd191x 2sd192x 2sd193x 2sd194x.pdf pdf_icon