2SD1958 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1958  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220F

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2SD1958 datasheet

 ..1. Size:85K  sanyo
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2SD1958

Ordering number EN2549A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1958 TV Horizontal Deflection Output High-Current Switching Applications Features Package Dimensions Excellent tf permitting efficient drive with less unit mm internal dissipation. 2041A [2SD1958] 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Base 2.55 2.55 2 Collector 3 Emitter 2.55 2.55

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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2SD1958

 8.1. Size:74K  sanyo
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2SD1958

Ordering number EN2507 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1953 120V/1.5A Driver Applications Applications Package Dimensions Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers. unit mm 2009A Features [2SD1953] 8.0 2.7 Darlington connection. 4.0 High DC current gain. Low dependence of DC current gain on temperature. 3.0 1.6 0.8 0.8 0.6 0.5 1 Emitte

 8.2. Size:255K  nec
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2SD1958

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