2SD1958 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1958  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1958

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1958 даташит

 ..1. Size:85K  sanyo
 2sd1958.pdf pdf_icon

2SD1958

Ordering number EN2549A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1958 TV Horizontal Deflection Output High-Current Switching Applications Features Package Dimensions Excellent tf permitting efficient drive with less unit mm internal dissipation. 2041A [2SD1958] 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Base 2.55 2.55 2 Collector 3 Emitter 2.55 2.55

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd1958.pdf pdf_icon

2SD1958

 8.1. Size:74K  sanyo
 2sd1953.pdf pdf_icon

2SD1958

Ordering number EN2507 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1953 120V/1.5A Driver Applications Applications Package Dimensions Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers. unit mm 2009A Features [2SD1953] 8.0 2.7 Darlington connection. 4.0 High DC current gain. Low dependence of DC current gain on temperature. 3.0 1.6 0.8 0.8 0.6 0.5 1 Emitte

 8.2. Size:255K  nec
 2sd1950.pdf pdf_icon

2SD1958

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD195, 2SD1950, 2SD1951, 2SD1952, 2SD1953, 2SD1955, 2SD1956, 2SD1957, BD139, 2SD1959, 2SD196, 2SD1960, 2SD1961, 2SD1962M, 2SD1963, 2SD1964, 2SD1965