2SD325E Todos los transistores

 

2SD325E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD325E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD325E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:146K  china
 3da325 2sd325.pdf pdf_icon

2SD325E

3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB

 8.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd325.pdf pdf_icon

2SD325E

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD325DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 1.5ACE(sat) CComplement to Type 2SB511Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.Rec

 9.1. Size:46K  no
 2sd328.pdf pdf_icon

2SD325E

 9.2. Size:194K  inchange semiconductor
 2sd320.pdf pdf_icon

2SD325E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD320DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR) CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 2.0V(Max)@ I = 2ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose

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History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
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