2SD376A Todos los transistores

 

2SD376A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD376A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD376A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:42K  no
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2SD376A

 9.2. Size:209K  inchange semiconductor
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2SD376A

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD371DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB531Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

 9.3. Size:185K  inchange semiconductor
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2SD376A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD375DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in clocked voltage converters andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMU

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History: 3DD13005ED | 2SD1993 | KSB1023 | TA1767

 

 
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