2SD412 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD412
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO3
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2SD412 datasheet
2sb548 2sb549 2sd414 2sd415.pdf
DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB548, 549/2SD414, 415 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25
2sd414.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD414 DESCRIPTION With TO-126packaging Excellent linearity of h FE Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Complementary to 2SB548 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Relay drivers, high-speed inverters , converters and Other general high current swit
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History: BSW50 | CX954B | 2SC3168
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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