2SD412 Todos los transistores

 

2SD412 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD412
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD412 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:36K  sanyo
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2SD412

 9.2. Size:134K  nec
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2SD412

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SB548, 549/2SD414, 415PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERSFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

 9.3. Size:49K  no
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2SD412

 9.4. Size:192K  inchange semiconductor
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2SD412

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD414DESCRIPTIONWith TO-126packagingExcellent linearity of hFELow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speedComplementary to 2SB548Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSRelay drivers, high-speed inverters , converters andOther general high current swit

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History: ED1702M | IDB1021

 

 
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