2SD517 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD517
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 16 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 130 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 3
Paquete / Cubierta: TO3
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2SD517 Datasheet (PDF)
2sd517.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD517DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
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History: 40317V1 | NSS20200L | 2T625BM-2 | NSS60601MZ4 | KRA308 | BUH417
History: 40317V1 | NSS20200L | 2T625BM-2 | NSS60601MZ4 | KRA308 | BUH417



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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