2SD526O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD526O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO220
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2SD526O datasheet
st2sd526.pdf
ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 80 V Collector Base Voltage VCBO 80 V Collector Emitter Voltage VCEO 5 V Emitter Base Voltage VEBO 4 A Collector Current IC 0.4 A Base Current IB O Power Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 W O Junctio
2sd526.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 20 25W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E
Otros transistores... 2SD522 , 2SD523 , 2SD524 , 2SD525 , 2SD525O , 2SD525R , 2SD525Y , 2SD526 , 2SC2625 , 2SD526R , 2SD526Y , 2SD528 , 2SD528H , 2SD529 , 2SD52A , 2SD53 , 2SD530 .
History: BC847E | PMD9001D | 2SC939
History: BC847E | PMD9001D | 2SC939
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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