Справочник транзисторов. 2SD526O

 

Биполярный транзистор 2SD526O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD526O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD526O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:186K  toshiba
2sd526.pdfpdf_icon

2SD526O

 8.2. Size:118K  mospec
2sd526.pdfpdf_icon

2SD526O

AAA

 8.3. Size:531K  semtech
st2sd526.pdfpdf_icon

2SD526O

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit80 VCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 5 VEmitter Base Voltage VEBO 4 ACollector Current IC 0.4 ABase Current IB OPower Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 WOJunctio

 8.4. Size:167K  inchange semiconductor
2sd526.pdfpdf_icon

2SD526O

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 2025W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2N5771 | KRC663U | DTC123JEB | 2SB443A | 2N5862 | 2SC765 | NKT108

 

 
Back to Top

 


 
.