2SD536 Todos los transistores

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2SD536 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD536

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 13 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 50

Empaquetado / Estuche: TO3

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2SD536 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd536.pdf Size:150K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD536 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High voltage,high speed ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Switching regulators ·DC-DC converters ·General purpose power amplifiers PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector

5.1. 2sd531.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD531 DESCRIPTION Ў¤ With TO-220C package Ў¤ High current capability APPLICATIONS Ў¤ For audio frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Ў¤ Absolute maximum ratings(Tc=25Ўж ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAME

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