2SD536. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD536

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD536

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD536 даташит

 ..1. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd536.pdf pdf_icon

2SD536

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD536 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min) CEO(SUS) Excellent Safe Operating Area High Current Capability Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators DC-DC converters. General

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd535.pdf pdf_icon

2SD536

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD535 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) Excellent Safe Operating Area High Current Capability Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high current, high power application

 9.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd534.pdf pdf_icon

2SD536

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD534 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) Excellent Safe Operating Area High Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers , high-speed inverters,converters,and other general high-cur

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd531.pdf pdf_icon

2SD536

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD531 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD53, 2SD530, 2SD531, 2SD531-1, 2SD532, 2SD533, 2SD534, 2SD535, 2222A, 2SD537, 2SD538, 2SD538A, 2SD539, 2SD539A, 2SD53A, 2SD54, 2SD540