2SD541 Todos los transistores

 

2SD541 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD541
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3A
 

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2SD541 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:45K  sanyo
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2SD541

 9.2. Size:204K  inchange semiconductor
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2SD541

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 1ACPower Dissipation-P =30W @T = 25D CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 800 VCBOV Collector-Emitter Voltage 500 VCEOV Emitter-Base Voltage

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd544.pdf pdf_icon

2SD541

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD544DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 90V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0ACE(sat) CWith TO-220C PackageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power ampli

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History: BCP5216TA | AC177 | 2SD1722S | KT837K | BCAP79 | 2N6566 | CL866A

 

 
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