2SD541. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD541

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3A

 Аналоги (замена) для 2SD541

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD541 даташит

 9.1. Size:45K  sanyo
 2sd545.pdf pdf_icon

2SD541

 9.2. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd546.pdf pdf_icon

2SD541

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Power Dissipation-P =30W @T = 25 D C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 800 V CBO V Collector-Emitter Voltage 500 V CEO V Emitter-Base Voltage

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd544.pdf pdf_icon

2SD541

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD544 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0A CE(sat) C With TO-220C Package Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power ampli

Другие транзисторы: 2SD537, 2SD538, 2SD538A, 2SD539, 2SD539A, 2SD53A, 2SD54, 2SD540, BC556, 2SD542, 2SD543, 2SD544, 2SD544-1, 2SD544-2, 2SD545, 2SD545D, 2SD545E