2SD547 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD547
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 400 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD547
2SD547 Datasheet (PDF)
2sd546.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 1ACPower Dissipation-P =30W @T = 25D CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 800 VCBOV Collector-Emitter Voltage 500 VCEOV Emitter-Base Voltage
2sd544.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD544DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 90V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0ACE(sat) CWith TO-220C PackageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power ampli
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