2SD57 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD57

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO66

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2SD57 datasheet

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2SD57

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2SD57

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2SD57

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 0.6V(Max.)@I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.4. Size:181K  inchange semiconductor
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2SD57

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD577 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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