2SD62 Todos los transistores

 

2SD62 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD62
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SD62 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:71K  sanyo
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 0.3. Size:202K  inchange semiconductor
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2SD62

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Coll

 0.4. Size:208K  inchange semiconductor
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2SD62

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)CEO(sus)High DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE (sat) CComplement to Type 2SB638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS

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History: BF197

 

 
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