2SD62 Todos los transistores

 

2SD62 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD62
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SD62 datasheet

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 0.2. Size:113K  sanyo
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2SD62

 0.3. Size:202K  inchange semiconductor
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2SD62

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO V Coll

 0.4. Size:208K  inchange semiconductor
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2SD62

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min.) CEO(sus) High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE (sat) C Complement to Type 2SB638 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS

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