Справочник транзисторов. 2SD62

 

Биполярный транзистор 2SD62 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD62
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 2SD62

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD62 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:71K  sanyo
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD62

 0.2. Size:113K  sanyo
 2sd621.pdf pdf_icon

2SD62

 0.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD62

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Coll

 0.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd628.pdf pdf_icon

2SD62

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)CEO(sus)High DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE (sat) CComplement to Type 2SB638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD613D , 2SD613E , 2SD613F , 2SD614 , 2SD615 , 2SD616 , 2SD617 , 2SD619 , 2N5401 , 2SD620 , 2SD621 , 2SD622 , 2SD624 , 2SD625 , 2SD626 , 2SD627 , 2SD628 .

History: GI2921 | NPS5400R | CK870 | 2SD123 | 3DD13007MD-C | DTC143XEFRA | BC341

 

 
Back to Top

 


 
.