2SD62. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD62

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SD62

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD62 даташит

 0.1. Size:71K  sanyo
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD62

 0.2. Size:113K  sanyo
 2sd621.pdf pdf_icon

2SD62

 0.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD62

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO V Coll

 0.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd628.pdf pdf_icon

2SD62

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min.) CEO(sus) High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE (sat) C Complement to Type 2SB638 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD613D, 2SD613E, 2SD613F, 2SD614, 2SD615, 2SD616, 2SD617, 2SD619, C945, 2SD620, 2SD621, 2SD622, 2SD624, 2SD625, 2SD626, 2SD627, 2SD628