2SD69 Todos los transistores

 

2SD69 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD69
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD69 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:102K  toshiba
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2SD69

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692DESCRIPTIONBuilt-in Base-Emitter Shunt ResistorsHigh DC current gain-h = 1000 (Min) @ I =1 AdcFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 80V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier a

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History: UML2N | BUV28A

 

 
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