2SD69 Todos los transistores

 

2SD69 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD69
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD69 datasheet

 0.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD69

 0.2. Size:125K  panasonic
 2sd691 2sd692.pdf pdf_icon

2SD69

 0.3. Size:86K  panasonic
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2SD69

 0.4. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd692.pdf pdf_icon

2SD69

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- h = 1000 (Min) @ I =1 Adc FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier a

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History: 2SA959 | 2SA958

 

 

 


 
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