2SD695 Todos los transistores

 

2SD695 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD695
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 350 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO3A-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD695 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD695

 9.2. Size:125K  panasonic
 2sd691 2sd692.pdf pdf_icon

2SD695

 9.3. Size:86K  panasonic
 2sd693.pdf pdf_icon

2SD695

 9.4. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd692.pdf pdf_icon

2SD695

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692DESCRIPTIONBuilt-in Base-Emitter Shunt ResistorsHigh DC current gain-h = 1000 (Min) @ I =1 AdcFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 80V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier a

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History: 2N3352DCSM | 2SA1480E | 2SC4321 | 2N4355 | 2N1196 | 2SC2959 | 2SA909

 

 
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