2SD696A Todos los transistores

 

2SD696A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD696A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 400 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 100 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO3A-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD696A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD696A

 9.2. Size:125K  panasonic
 2sd691 2sd692.pdf pdf_icon

2SD696A

 9.3. Size:86K  panasonic
 2sd693.pdf pdf_icon

2SD696A

 9.4. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd692.pdf pdf_icon

2SD696A

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692DESCRIPTIONBuilt-in Base-Emitter Shunt ResistorsHigh DC current gain-h = 1000 (Min) @ I =1 AdcFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 80V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier a

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History: 2N2821 | DRA9A44E | BDY75 | BD355C | ST2SD1664U-Q | 2SD2048 | 2SC3553

 

 
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