2SD697 Todos los transistores

 

2SD697 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD697
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 770 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 100 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO3A-1
 

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2SD697 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  toshiba
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 9.1. Size:125K  panasonic
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 9.3. Size:209K  inchange semiconductor
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2SD697

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692DESCRIPTIONBuilt-in Base-Emitter Shunt ResistorsHigh DC current gain-h = 1000 (Min) @ I =1 AdcFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 80V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier a

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