2SD726 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD726

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO220

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2SD726 datasheet

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2SD726

isc Silicon NPNPower Transistor 2SD726 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation Complement to Type 2SB690 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

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2SD726

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2SD726

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2SD726

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD725 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO

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