2SD756 Todos los transistores

 

2SD756 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD756
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SD756

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD756 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD756

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD756

 9.2. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD756

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd750.pdf pdf_icon

2SD756

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SD749 , 2SD75 , 2SD750 , 2SD751 , 2SD752 , 2SD753 , 2SD754 , 2SD755 , C1815 , 2SD756A , 2SD757 , 2SD758 , 2SD759 , 2SD75A , 2SD75AH , 2SD75H , 2SD760 .

 

 
Back to Top

 


 
.