2SD756. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD756

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SD756

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD756 даташит

 ..1. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD756

2SD755, 2SD756, 2SD756A Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716A Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SD755, 2SD756, 2SD756A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A Unit Collector to base voltage VCBO 100 120 140 V Collector to emitter vol

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD756

 9.2. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD756

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd750.pdf pdf_icon

2SD756

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V (Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation High Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD749, 2SD75, 2SD750, 2SD751, 2SD752, 2SD753, 2SD754, 2SD755, 2N2222, 2SD756A, 2SD757, 2SD758, 2SD759, 2SD75A, 2SD75AH, 2SD75H, 2SD760