2SD75H Todos los transistores

 

2SD75H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD75H
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO1
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD75H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD75H

 9.2. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD75H

 9.3. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD75H

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

 9.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd750.pdf pdf_icon

2SD75H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT

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History: 3CG953 | BDW25-4 | 2SC2923 | 2SA922-2 | BC807K-16 | 2N1683

 

 
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