2SD830 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD830
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10000
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de 2SD830
2SD830 Datasheet (PDF)
2sd833.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sd835.pdf
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History: MQ6002HXV | 2SD83 | 2N5488-3 | 40625 | 2N3709 | 2N3708 | 2SB1049
History: MQ6002HXV | 2SD83 | 2N5488-3 | 40625 | 2N3709 | 2N3708 | 2SB1049
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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