2SD830 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD830  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD830

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD830 даташит

 9.1. Size:96K  fuji
 2sd833.pdf pdf_icon

2SD830

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:101K  fuji
 2sd835.pdf pdf_icon

2SD830

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:125K  fuji
 2sd834.pdf pdf_icon

2SD830

 9.4. Size:25K  no
 2sd838.pdf pdf_icon

2SD830

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD826, 2SD826E, 2SD826F, 2SD826G, 2SD827, 2SD828, 2SD829, 2SD83, A1015, 2SD831, 2SD832, 2SD833, 2SD834, 2SD835, 2SD836, 2SD836A, 2SD836B