2SD836B Todos los transistores

 

2SD836B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD836B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 6000
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD836B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:195K  inchange semiconductor
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2SD836B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD836DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 2AFE CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SB750Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAF power amplifiersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 9.1. Size:96K  fuji
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Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:101K  fuji
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 9.3. Size:125K  fuji
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