2SD850 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD850  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 700 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 4

Encapsulados: TO3

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2SD850 datasheet

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2SD850

Silicon Diffused Power Transistor 2SD850 GENERAL DESCRIPTION Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a plastic package primarily for use in horizontal deflection circuites of colour television receivers TO-3 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value V = 0V BE V - 1500 V CESM Collector-emitter voltage (open base)

 ..2. Size:150K  inchange semiconductor
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2SD850

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD850 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Line-operated horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:88K  panasonic
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 9.2. Size:109K  panasonic
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