2SD850 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD850  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD850

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD850 даташит

 ..1. Size:189K  wingshing
 2sd850.pdf pdf_icon

2SD850

Silicon Diffused Power Transistor 2SD850 GENERAL DESCRIPTION Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a plastic package primarily for use in horizontal deflection circuites of colour television receivers TO-3 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value V = 0V BE V - 1500 V CESM Collector-emitter voltage (open base)

 ..2. Size:150K  inchange semiconductor
 2sd850.pdf pdf_icon

2SD850

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD850 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Line-operated horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:88K  panasonic
 2sd855.pdf pdf_icon

2SD850

 9.2. Size:109K  panasonic
 2sd857.pdf pdf_icon

2SD850

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD844O, 2SD844Y, 2SD845, 2SD846, 2SD847, 2SD848, 2SD848A, 2SD849, 8050, 2SD851, 2SD852, 2SD854, 2SD855, 2SD855A, 2SD855B, 2SD856, 2SD856A