2SD857B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD857B 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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2SD857B datasheet

8.1. Size:109K panasonic
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8.2. Size:208K inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor 2SD857 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB762 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

9.1. Size:88K panasonic
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