2SD857B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD857B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD857B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD857B даташит

 8.1. Size:109K  panasonic
 2sd857.pdf pdf_icon

2SD857B

 8.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd857.pdf pdf_icon

2SD857B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD857 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB762 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 9.1. Size:88K  panasonic
 2sd855.pdf pdf_icon

2SD857B

 9.2. Size:111K  panasonic
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD857B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD855, 2SD855A, 2SD855B, 2SD856, 2SD856A, 2SD856B, 2SD857, 2SD857A, 2SC945, 2SD858, 2SD858A, 2SD858B, 2SD859, 2SD859A, 2SD859B, 2SD860, 2SD860A