2SD875A Todos los transistores

 

2SD875A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD875A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SD875A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  panasonic
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2SD875A

Transistor2SD875Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmComplementary to 2SB7671.5 0.14.5 0.11.6 0.2FeaturesLarge collector power dissipation PC.High collector to emitter voltage VCEO.45Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and the maga-0.4 0.08

 8.2. Size:38K  panasonic
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2SD875A

Transistor2SD875Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmComplementary to 2SB7671.5 0.14.5 0.11.6 0.2FeaturesLarge collector power dissipation PC.High collector to emitter voltage VCEO.45Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and the maga-0.4 0.08

 8.3. Size:892K  kexin
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2SD875A

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD875 Features 1.70 0.1 Large collector power dissipation PC. High collector to emitter voltage VCEO. Complimentary to 2SB7670.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 80 Collector - Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter

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History: 2SC3710

 

 
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