2SD875A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD875A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT89

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2SD875A datasheet

 8.1. Size:42K  panasonic
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2SD875A

Transistor 2SD875 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm Complementary to 2SB767 1.5 0.1 4.5 0.1 1.6 0.2 Features Large collector power dissipation PC. High collector to emitter voltage VCEO. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- 0.4 0.08

 8.2. Size:38K  panasonic
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2SD875A

Transistor 2SD875 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm Complementary to 2SB767 1.5 0.1 4.5 0.1 1.6 0.2 Features Large collector power dissipation PC. High collector to emitter voltage VCEO. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- 0.4 0.08

 8.3. Size:892K  kexin
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2SD875A

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD875 Features 1.70 0.1 Large collector power dissipation PC. High collector to emitter voltage VCEO. Complimentary to 2SB767 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 80 Collector - Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter

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