2SD900B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD900B 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 6
Encapsulados: TO3
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2SD900B datasheet
2sd900.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD900 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV deflection
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History: 2SC3902S | CSD786S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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