2SD92 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD92
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO66
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2SD92 Datasheet (PDF)
2sd929.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD929DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOHigh ReliabilityGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLIC
Otros transistores... 2SD912 , 2SD913 , 2SD914 , 2SD915 , 2SD916 , 2SD917 , 2SD918 , 2SD919 , 13005 , 2SD920 , 2SD921 , 2SD922 , 2SD923 , 2SD926 , 2SD927 , 2SD928 , 2SD929 .
History: 3DA1573A
History: 3DA1573A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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