2SD92 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD92  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD92

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD92 даташит

 0.1. Size:43K  fuji
 2sd929.pdf pdf_icon

2SD92

 0.2. Size:117K  fuji
 2sd923.pdf pdf_icon

2SD92

 0.3. Size:115K  fuji
 2sd921.pdf pdf_icon

2SD92

 0.4. Size:200K  inchange semiconductor
 2sd929.pdf pdf_icon

2SD92

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD929 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO High Reliability Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD912, 2SD913, 2SD914, 2SD915, 2SD916, 2SD917, 2SD918, 2SD919, C3198, 2SD920, 2SD921, 2SD922, 2SD923, 2SD926, 2SD927, 2SD928, 2SD929