2SD985O Todos los transistores

 

2SD985O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD985O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7000
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD985O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:152K  nec
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2SD985O

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
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2SD985O

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD985DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 2000(Min) @ I = 1AFE CLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SB794Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThey are suitable for use to operate from IC

 8.3. Size:124K  inchange semiconductor
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2SD985O

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD985 2SD986 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB794/795 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS For low frequency power amplifier and power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2

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History: MJE5850G | 2N6208 | 2N68-13 | 2SCR586D3 | BCW33LT3G | 2SC3356S-B | CSC3197

 

 
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