Биполярный транзистор 2SD985O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD985O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7000
Корпус транзистора: TO126
2SD985O Datasheet (PDF)
2sd985.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD985DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 2000(Min) @ I = 1AFE CLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SB794Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThey are suitable for use to operate from IC
2sd985 2sd986.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD985 2SD986 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB794/795 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS For low frequency power amplifier and power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
