2SD985Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD985Y  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000

Encapsulados: TO126

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2SD985Y datasheet

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2SD985Y

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2SD985Y

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD985 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h = 2000(Min) @ I = 1A FE C Low Collector Saturation Voltage Complement to Type 2SB794 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS They are suitable for use to operate from IC

 8.3. Size:124K  inchange semiconductor
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2SD985Y

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD985 2SD986 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB794/795 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS For low frequency power amplifier and power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2

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