2SD986O Todos los transistores

 

2SD986O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD986O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SD986O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:152K  nec
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2SD986O

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
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2SD986O

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD986DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 2000(Min) @ I = 1AFE CLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SB795Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThey are suitable for use to operate from IC

 8.3. Size:124K  inchange semiconductor
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2SD986O

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD985 2SD986 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB794/795 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS For low frequency power amplifier and power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2

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History: 2SC4097-P | TN3395 | MP507A | BCW94K

 

 
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